07.11.14: Apple поменяет контроллеры флеш-памяти iPhone 6 Plus

iPhone 6 Plus

Не так давно появились сведенья о том, что кое-какие пользователи 128-гигабайтных iPhone 6 Plus жалуются на циклические перезагрузки телефона и постоянные сбои совокупности. Причем, большая часть пользователей заявляют, что неприятности появляются лишь тогда, когда на устройство установлено много приложений.

Как утверждает Businesskorea, причина неприятности прячется в дефектных контроллерах флеш-памяти. В Apple якобы решили перейти на другую разработку, чтобы урегулировать вопросы в работе смартфонов.

Согласно данным источников, причиной сбоев в работе iPhone 6 Plus являются трёхуровневые контроллеры флеш-памяти, которые дешевле одноуровневых (SLC) и многоуровневых (MLC) ячеек и уступают им в записи и скорости чтения данных. Применение ТСХ NAND в 128-гигабайтной версии iPhone 6 Plus разрешило Apple сократить затраты.

Кое-какие эксперты уверены в том, что применение TLC NAND в iPhone 6 Plus направлено на эти чипы и сокращение издержек перед установкой проходили весьма строгую процедуру тестирования. Как бы то ни было, в Apple решили вполне перейти на разработку MLC NAND, пишет корейское издание. Новые партии 128-гигабайтных планшетофонов будут выходить лишь с памятью данного типа. Для нынешних пользователей проблемных моделей ответом есть вернуть их Apple и заменить на другие.

Все на iApple.by про:


Защитный код Обновить

Копирование и использование материалов яблочного портала Беларуси iapple.by запрещено, без активной ссылки на наш сайт в качестве источника
Изображения, торговые марки и логотипы являются собственностью соответствующих владельцев и компаний